真空处理装置专利登记公告

专利名称：真空处理装置

摘要：本发明提供一种可靠性高的真空处理装置，该真空处理装置具备：在真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器的分别连结且连通处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连结且内部可收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间并进行气密开闭的多个阀门，在开放所述第一真空处理容器的处理室和所述第一真空输送容器的真空输送室之间或者第二

专利类型：发明专利

专利号：CN201110036139.8

专利申请（专利权）人：株式会社日立高新技术

专利发明（设计）人：矶村僚一;田内勤;近藤英明

主权项：一种真空处理装置，其中，具备：在减压后的内部的真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器分别连结并且连通在内部对所述晶片进行处理的处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连接配置这些第一及第二真空输送容器，并且在内部能够收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结并且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间，并且开放或者气密地密封而关闭它们之间的连通的多个阀门

专利地区：日本