从半导体剥离热熔抗蚀剂的改进方法专利登记公告

专利名称：从半导体剥离热熔抗蚀剂的改进方法

摘要：将热熔抗蚀剂选择性地施加到半导体晶片的抗反射涂层或选择性发射器上。用包含无机酸的蚀刻剂蚀刻掉抗反射涂层或选择性发射器的暴露部分以暴露半导体表面。然后用不损害半导体的电整体性的碱性剥离剂从半导体上剥离掉热熔抗蚀剂。然后金属化暴露的半导体以形成电流路径。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110402956.0

专利申请（专利权）人：罗门哈斯电子材料有限公司

专利发明（设计）人：董华;R·K·巴尔

主权项：一种方法包括：(a)提供包括PN结的半导体衬底、具有PN结的半导体衬底的前侧的抗反射涂层和背侧的包括铝的电极；(b)在具有PN结的半导体衬底上的抗反射涂层上选择性施加热熔抗蚀剂；(c)向具有PN结的半导体衬底的抗反射涂层的暴露部分施加蚀刻剂以去除抗反射涂层的暴露部分并选择性暴露具有PN结的半导体衬底的前侧；以及(d)向具有PN结的半导体衬底施加包括碳酸钾和硅酸钾的剥离剂以从抗反射涂层中去除热熔抗蚀剂。

专利地区：美国