半导体元件的制作方法专利登记公告

专利名称：半导体元件的制作方法

摘要：本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基板，该基板具有底面与相对于底面的生长面；形成缓冲层于生长面上，缓冲层具有实质平行于底面的第一表面，且第一表面为非C平面；形成半导体元件于缓冲层的第一表面上；形成至少一个孔穴于缓冲层内；延伸上述孔穴，使得上述孔穴具有主延伸方向；分离基板与半导体元件；其中，上述主延伸方向与第一表面的法线方向实质不平行。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010582478.1

专利申请（专利权）人：晶元光电股份有限公司

专利发明（设计）人：张世邦;杨鸿志;沈豫俊

主权项：一种半导体结构的制作方法，包含：提供基板，该基板具有底面与相对于该底面的生长面；形成缓冲层于该生长面上，该缓冲层具有实质平行于该底面的第一表面，且该第一表面为非C平面；形成半导体元件于该缓冲层的该第一表面上；形成至少一个孔穴于该缓冲层内；延伸该孔穴，使得该孔穴具有主延伸方向；以及分离该基板与该半导体元件；其中，该主延伸方向与该第一表面的法线方向实质不平行。

专利地区：台湾