介质膜刻蚀方法和浅槽隔离形成方法专利登记公告

专利名称：介质膜刻蚀方法和浅槽隔离形成方法

摘要：本发明实施例公开了一种介质膜刻蚀方法和一种浅槽隔离形成方法，所述介质膜刻蚀方法，包括：建立刻蚀溶液活性周期和刻蚀速率的对应关系，即第一对应关系；根据所述第一对应关系确定处于当前活性周期的刻蚀溶液的刻蚀速率，即第一刻蚀速率；根据所需刻蚀去除的介质膜厚度和所述第一刻蚀速率计算得到第一刻蚀时间；应用所述刻蚀溶液刻蚀所述介质膜，持续时间为第一刻蚀时间。本发明提供的技术方案能够使不同刻蚀批次介质膜的刻蚀程度相同，同时能够改善半导体器件的结构，进而改善半导体器件的电学性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593561.9

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：李健

主权项：一种介质膜刻蚀方法，其特征在于，包括：建立刻蚀溶液活性周期和刻蚀速率的对应关系，即第一对应关系；根据所述第一对应关系确定处于当前活性周期的刻蚀溶液的刻蚀速率，即第一刻蚀速率；根据所需刻蚀去除的介质膜厚度和所述第一刻蚀速率计算得到第一刻蚀时间；应用所述刻蚀溶液刻蚀所述介质膜，持续时间为第一刻蚀时间。

专利地区：江苏