一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置专利登记公告

专利名称：一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置

摘要：一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置，方法包括以下步骤：1)采用理片机将硅片理好，切口垂直向下；2)将片盒放置于定位卡槽，盖好氮气保护罩；3)开启电机，由丝杠带动升降槽由HF酸酸槽中向上升起；4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时，HF酸与氧化膜开始发生反应；5)开启电机，带动升降槽降至HF酸酸槽；6)打开氮气保护罩，取出硅片进行检验。方法是利用锥形腐蚀块与8英寸切口的接触，达到去除切口氧化膜的目的。本发明的优点是：装置结构简单，操作方便，工艺成本低。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010597242.5

专利申请（专利权）人：有研半导体材料股份有限公司

专利发明（设计）人：徐继平;籍小兵;刘斌;边永智;宁永铎;孙洪波;张静

主权项：一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)采用理片机将硅片理好，切口垂直向下；2)将片盒放置于定位卡槽，盖好氮气保护罩；3)开启电机，由丝杠带动升降槽由HF酸酸槽中向上升起；4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时，HF酸与氧化膜开始发生反应；5)开启电机，带动升降槽降至HF酸酸槽；6)打开氮气保护罩，取出硅片进行检验。

专利地区：北京