半导体组件的散热座的制作方法专利登记公告

专利名称：半导体组件的散热座的制作方法

摘要：一种半导体组件的散热座的制作方法，包括以下步骤：形成一导电层覆盖在一暂时基板的表面上；利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于导电层，其中前述的至少一金属凸块介于至少一半导体芯片与导电层之间；形成一金属基板于导电层上，其中金属基板填满前述的至少一半导体芯片与导电层之间的间隙；移除前述的暂时基板。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110037329.1

专利申请（专利权）人：成功大学

专利发明（设计）人：苏炎坤;陈冠群;林俊良

主权项：一种半导体组件的散热座的制作方法，包括：形成一导电层覆盖在一暂时基板的一表面上；利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于该导电层，其中该至少一金属凸块介于该至少一半导体芯片与该导电层之间；形成一金属基板于该导电层上，其中该金属基板填满该至少一半导体芯片与该导电层之间的一间隙；以及移除该暂时基板。

专利地区：台湾