半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体结构及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一个或多个半导体元件层，形成于该基板上；以及一个或多个晶格破坏区，形成于该基板表面，位于该等半导体元件层之间。本发明另提供一种半导体结构的制造方法。本发明可减少应力形变，致增加半导体元件例如发光二极管(LED)的发光波长均一性，达到增加良率产出的目的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110037702.3

专利申请（专利权）人：隆达电子股份有限公司

专利发明（设计）人：方国龙;郭奇文;郭政达

主权项：一种半导体结构，包括：一基板；一个或多个半导体元件层，形成于该基板上；以及一个或多个晶格破坏区，形成于该基板表面，位于该等半导体元件层之间。

专利地区：台湾