高介电系数金属栅极电极结构专利登记公告

专利名称：高介电系数金属栅极电极结构

摘要：本发涉及高介电系数金属栅极电极结构。在复杂的半导体装置中，通过在选择的主动区域中选择性地沉积应变诱发半导体材料之后提供额外衬垫材料，可在早期制造阶段中形成具有优良完整性的敏感性栅极材料的高介电系数栅极电极结构。此外，该栅极电极结构的该介电覆盖材料可依据一种制程流程来予以移除，其中，该制程流程通过避免图案化及移除任何牺牲氧化物间隔件，而显着地降低隔离区域及主动区域中材料侵蚀的程度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110421270.6

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

专利发明（设计）人：S·克隆霍尔兹;M·连斯基;H-J·特厄斯

主权项：一种方法，包含：在第一栅极电极结构形成在第一晶体管的第一主动区域上的情况下，在该第一主动区域中形成应变诱发半导体材料，同时以第一间隔件层覆盖第二晶体管的第二主动区域及形成于该第二主动区域上的第二栅极电极结构，该第一栅极电极结构包含第一间隔件及第一介电覆盖层，而该第二栅极电极结构包含第二介电覆盖层；在形成该应变诱发半导体材料后，在该第一及第二主动区域上方形成第二间隔件层；选择性地修改该第二介电覆盖层，以增加该第二介电覆盖层的蚀刻率；移除该第一及第二介电覆盖层；以及在该第一及第二主动区域中形成漏极和源极区域。

专利地区：开曼群岛