碳化硅半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要：一种SiC半导体器件包括衬底(1)、漂移层(2)、基极区(3)、源极区(4)、沟槽(6)、栅极氧化物膜(7)、栅电极(8)、源电极(9)和漏电极(11)。衬底(1)以Si面作为主表面。源极区(4)具有Si面。从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分提供沟槽(6)，所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部。所述沟槽(6)至少在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状，该倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110435840.7

专利申请（专利权）人：株式会社电装;丰田自动车株式会社

专利发明（设计）人：三村智博;宫原真一朗;高谷秀史;杉本雅裕;副岛成雅;石川刚;渡边行彦

主权项：一种碳化硅半导体器件，包括：由碳化硅制成且以Si面作为主表面的衬底(1)，所述衬底(1)具有第一导电类型或第二导电类型；由碳化硅制成并形成于所述衬底(1)上的漂移层(2)，所述漂移层(2)具有第一导电类型并具有比所述衬底(1)的杂质浓度更低的杂质浓度；由碳化硅制成并形成于所述漂移层(2)上的基极区(3)，所述基极区(3)具有第二导电类型；由碳化硅制成并形成于所述基极区(3)的表面部分中的源极区(4)，所述源极区(4)具有Si面，所述源极区(4)具有第一导电类型且杂质浓度高于所述漂移层(2)的杂质浓度；提供

专利地区：日本