栅极结构专利登记公告

专利名称：栅极结构

摘要：本发明提供一种栅极结构，包括介电层、栅极导体层以及顶盖堆叠结构。栅极导体层位于基底上。介电层位于栅极导体层与基底之间。栅极导体层位于顶盖堆叠结构与介电层之间。顶盖堆叠结构位于栅极导体层上，其包括至少两层材质不同且相接触的绝缘材料层。基于上述，本发明栅极结构，可以减轻电阻电容延迟的问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110037704.2

专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司

专利发明（设计）人：陈俊元

主权项：一种栅极结构，包括：一栅极导体层，位于一基底上；一介电层，位于该栅极导体层与该基底之间；以及一顶盖堆叠结构，位于该栅极导体层上，该顶盖堆叠结构包括至少两层材质不同且相接触的绝缘材料层。

专利地区：台湾