随机噪声源专利登记公告

专利名称：随机噪声源

摘要：本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热

专利类型：发明专利

专利号：CN201210031598.1

专利申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

专利发明（设计）人：张耀辉;黄寓洋;李文

主权项：一种随机噪声源，其特征在于，包括：半导体超晶格器件，由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成；以及封装体，与该半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。

专利地区：江苏