BiCMOS工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法专利登记公告

专利名称：BiCMOS工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法

摘要：本发明公开了一种BiCMOS工艺中垂直寄生型PNP器件，包括：一集电区、一基区、一发射区以及一赝埋层、一N型多晶硅。赝埋层形成于集电区两侧的浅槽场氧底部并横向延伸进入有源区并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极。发射区为形成于基区上部的P型离子注入区。N型多晶硅形成于基区上部并和基区相接触并通过和其相连的金属接触引出基极。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，能有效地缩小器件面积、减小

专利类型：发明专利

专利号：CN201010585594.9

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：陈帆;陈雄斌

主权项：一种BiCMOS工艺中垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成；所述基区位于所述集电区上部并和所述集电区

专利地区：上海