BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP三极管及制造方法专利登记公告

专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP三极管及制造方法

摘要：本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP三极管，集电区形成于第一有源区中，赝埋层形成于浅槽场氧底部并横向延伸进入第一有源区并和集电区形成接触，通过赝埋层实现集电区和其相邻有源区相连接，通过在相邻有源区的顶部形成金属接触引出集电极。N型多晶硅形成于基区上部并引出基极。发射区由形成于基区上方的P型离子注入层和P型多晶硅组成。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP三极管的制造方法。本发明能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能减小PNP管的集电极电

专利类型：发明专利

专利号：CN201010589124.X

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：刘冬华;周正良;钱文生;董金珠

主权项：一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP三极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP三极管包括：一集电区，在各所述有源区中形成有P型离子注入区，各所述有源区的P型离子注入区深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度并且相互连接，所述集电区由形成于第一有源区中的一P型离子注入区组成；一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述第一有源区并和所述集电区形成接触；所述赝埋层还横向延伸进入第二有源区和第三有源区中并和所述第二有源区和

专利地区：上海