半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明的半导体装置具有半导体衬底（101）、绝缘膜（14b）、半导体元件（EL）和电阻元件（4t）。半导体衬底（101）具有第一槽部（T1）。绝缘膜（14b）覆盖第一槽部（T1）的内表面。半导体衬底（EL）具有电极（13）。电阻元件（4t）以成为针对流过电极（13）的电流的电阻的方式与电极（13）电连接，且经由绝缘膜（14b）设置在第一槽部（T1）中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018553.0

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：楠茂;望月浩一;川上稔

主权项：一种半导体装置，具有：半导体衬底；半导体元件，具有电极；绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的至少一部分；至少一个二极管，设置在所述绝缘膜上，并且，与所述电极电连接成使其成为针对流过所述电极的电流的电阻。

专利地区：日本