III-V族太阳能电池封装件及其制法专利登记公告

专利名称：III-V族太阳能电池封装件及其制法

摘要：一种III-V族太阳能电池封装件及其制法，包括：提供一具有相对第一侧及第二侧的太阳能电池；在所述太阳能电池的第一侧上形成第一绝缘层，且在所述太阳能电池的第二侧上形成第二绝缘层；在所述第一绝缘层上形成透光层，且在所述第二绝缘层上形成防护层；以及压合所述透光层及防护层，令所述第一绝缘层黏接所述透光层与太阳能电池，且所述第二绝缘层黏接所述防护层与太阳能电池，从而利用所述绝缘层、透光层、及防护层具有的可挠性，形成具有可挠性的太阳能电池封装件。本发明还提供一种太阳能电池封装件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110049482.6

专利申请（专利权）人：亿芳能源科技股份有限公司

专利发明（设计）人：陈以礼;黄裕培;杨文斌;吴佩璇

主权项：一种III?V族太阳能电池封装件的制法，包括：提供一其上设有隔离层的基板；在所述隔离层上形成作用层单元，且所述作用层单元具有结合至所述隔离层上的第一表面及相对的第二表面，并在所述第二表面上形成底层，且形成所述作用层单元的材料为III?V族化合物；移除所述基板；移除所述隔离层，露出所述作用层单元的第一表面；在所述作用层单元的第一表面上形成电极，再在所述底层上形成一承载件，以形成具有相对第一侧及第二侧的太阳能电池；在所述太阳能电池的第一侧上形成第一绝缘层，且在所述太阳能电池的第二侧上形成第二绝缘层；在所述第一

专利地区：台湾