具有纳米线结构的电容器及其制备方法专利登记公告

专利名称：具有纳米线结构的电容器及其制备方法

摘要：本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积

专利类型：发明专利

专利号：CN201210144846.3

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：吴东平;陈玫瑰;许鹏;张卫;张世理

主权项：一种具有纳米线结构的电容器的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一导电层；在所述第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，所述金属半导体化合物纳米线与所述第一导电层构成底层金属；在所述底层金属上形成介质层；在所述介质层上覆盖金属层，所述覆盖的金属层构成上层金属。

专利地区：上海