TFT、阵列基板及显示装置、制备该TFT的掩模板专利登记公告

专利名称：TFT、阵列基板及显示装置、制备该TFT的掩模板

摘要：本发明涉及一种TFT、制备该TFT的掩模板及包括该TFT的显示装置，属于显示技术领域。为了消除目前SSM方式中因易出现短沟道效应而导致产率过低、良品率不足的问题，本发明所提供的薄膜晶体管的沟道部结构为通过灰色调掩膜工艺以单隙缝方式来制得，所述沟道部结构的宽度在2μm～6μm之间。通过将薄膜晶体管沟道部内侧U型弯折部处的沟道宽度形成为大于弯折部两侧的延伸部的沟道宽度，从而可以消除现有技术中因为该区域沟道宽度较小而导致的短沟道效应，可以消除现有技术中通过率不高、良品率不足、产率过低的问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210100442.4

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：崔承镇;刘圣烈;宋泳锡

主权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道部结构为通过灰色调掩膜工艺以单缝隙方式来制得，所述沟道部结构的内侧弯折处的沟道宽度大于弯折部两侧的延伸部的沟道宽度。

专利地区：北京