薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法专利登记公告
专利名称：薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法
摘要：本发明提供了薄膜晶体管(TFT)及制造该薄膜晶体管的方法。TFT包括厚度均匀的线形栅极。栅极的横截面在侧表面和顶表面相遇的地方是弯曲的。该栅极包括一条或两条或者更多条栅极线。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210054770.5
专利申请（专利权）人：三星电子株式会社
专利发明（设计）人：洪英基;郑在佑;李丞镐;金重赫
主权项：一种薄膜晶体管，包括：至少一条栅极线，在第一方向上延伸；栅极绝缘层，在所述栅极线上；以及源极和漏极，在所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极的至少一个包括至少一个延伸部分，该延伸部分在所述第一方向上平行于所述栅极线延伸。
专利地区：韩国
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