薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法，以及显示装置专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法，以及显示装置

摘要：根据一个实施例，薄膜晶体管包括：基板；半导体层；第一和第二绝缘膜；以及栅、源和漏电极。半导体层被设置在基板上。半导体层由具有铟的氧化物构成。半导体层具有第一和第二区域以及其他区域。第一绝缘膜覆盖其他区域的顶面。第二绝缘膜覆盖至少半导体层的一对侧面。第二绝缘膜在与用于第一绝缘膜的条件不同的条件下被形成。栅电极被设置在第一和第二绝缘膜上，或者被设置在半导体层的下面。源和漏电极分别被设置在第一和第二区域上。漏电极和源电极将半导体层的一对侧面夹在当中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110287707.1

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：上田知正;中野慎太郎;齐藤信美;三浦健太郎;原雄二郎;山口一

主权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上的半导体层，所述半导体层由具有铟作为主要成分的氧化物构成，所述半导体层具有顶面和一对侧面，所述顶面面向所述基板，所述顶面具有第一区域、第二区域和除了所述第一区域和所述第二区域之外的其他区域；第一绝缘膜，覆盖所述半导体层的所述其他区域；第二绝缘膜，覆盖至少所述半导体层的所述一对侧面，所述第二绝缘膜在与用于所述第一绝缘膜的条件不同的条件下被形成；栅电极，被设置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，或者被设置在所述半导体层的下面；源电极，被设置在所述第一区域

专利地区：日本