一种芯片保护结构以及形成方法专利登记公告

专利名称：一种芯片保护结构以及形成方法

摘要：一种芯片保护结构，包括：边缘密封结构和裂纹停止结构，所述裂纹停止结构与所述边缘密封结构相邻；所述裂纹停止结构包括层间介质层，位于层间介质层内且与层间介质层表面齐平的分立金属布线层，覆盖层间介质层和金属布线层的保护层，位于保护层上的密封层，位于保护层和密封层内的缓冲沟槽；所述缓冲沟槽侧壁具有铝侧墙，且铝侧墙位于保护层上，所述铝侧墙位置与相应金属布线层未被密封层覆盖的部分对应。此外，还提供制造所述芯片保护结构的工艺方法。本发明通过在现有缓冲沟槽的内侧壁设置铝侧墙来保护金属布线层，使得刻蚀密封层时，不会暴露金属

专利类型：发明专利

专利号：CN201110049531.6

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：胡敏达;张海洋

主权项：一种芯片保护结构，包括：边缘密封结构和裂纹停止结构，所述裂纹停止结构与所述边缘密封结构相邻；所述裂纹停止结构包括层间介质层，位于层间介质层内且与层间介质层表面齐平的分立金属布线层，覆盖层间介质层和金属布线层的保护层，位于保护层上的密封层，位于保护层和密封层内的缓冲沟槽；其特征在于，所述缓冲沟槽侧壁具有铝侧墙，且铝侧墙位于保护层上，所述铝侧墙位置与相应金属布线层未被密封层覆盖的部分对应。

专利地区：上海