一种有机场效应晶体管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种有机场效应晶体管结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管结构及其制备方法。该晶体管结构包括绝缘衬底、有源层、栅介质、源漏电极和栅电极。其中有源层位于绝缘衬底上表面，栅介质层和源、漏电极位于有源层上表面，栅电极位于栅介质层上表面。栅介质采用光敏聚乙烯醇，这种材料能够在光照作用下进行交联，直接形成高质量的绝缘薄膜。本发明所提出的有机场效应晶体管结构简单，能够直接形成顶接触式源漏电极，有利于提高载流子注入。本发明提供的有机场效应晶体管的制备方法，源、漏电极和栅电极采用自对准工艺制备，两者一次成形，大幅度减小工艺复杂度和难度。栅介质采用

专利类型：发明专利

专利号：CN201110050083.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;刘明

主权项：一种有机场效应晶体管结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；位于该绝缘衬底之上的有源层；位于该有源层之上的栅介质层、源电极和漏电极；以及位于该栅介质层之上的栅电极。

专利地区：北京