半导体器件结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：半导体器件结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法。该结构包括绝缘衬底、栅电极、栅介质层、源漏电极、修饰层和有机半导体层。栅电极位于绝缘衬底的上表面，栅介质层位于栅电极的上表面，源漏电极位于栅介质层的上表面，修饰层覆盖栅介质的上表面和源漏电极的上表面，有机半导体层覆盖在修饰层的上表面。该结构的特点在于通过氧化工艺使得金属电极表面生长了一层0.1至5纳米的氧化物薄膜，使得金属电极的表面特性发生转变，变得与栅介质层的表面特性类似，从而可以采用相同的表面改性材料对金属表面和栅介质层表面进行修饰，使得有机半导体薄膜与金属

专利类型：发明专利

专利号：CN201110050086.5

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;王艳花;刘明

主权项：一种半导体器件结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；位于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该绝缘衬底及该栅电极之上的栅介质层；位于该栅介质层之上的源漏电极；覆盖于该源漏电极上表面及侧面的金属氧化物层；覆盖于该栅介质层及该金属氧化物层之上的修饰层；以及覆盖于该修饰层之上的有机半导体层。

专利地区：北京