有机薄膜晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：有机薄膜晶体管及其制造方法

摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，涉及有机半导体器件领域。本发明制造方法包括：在衬底上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成由光敏材料制成的栅绝缘层；对所述栅绝缘层进行曝光；对曝光后的所述栅绝缘层进行显影，获得图案化的栅绝缘层；在形成有所述图案化的栅绝缘层的所述有机半导体层上形成金属膜，即形成覆盖所述栅绝缘层顶部表面的栅电极、隔着所述栅绝缘层彼此相对并分别紧靠所述栅绝缘层侧壁的源电极和漏电极。本发明简化了有机薄膜晶体管制造工艺，降低了有机薄膜晶体管的制造成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110126581.X

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：张学辉

主权项：一种有机薄膜晶体管，包括：有机半导体层、栅绝缘层、栅电极、源电极及漏电极，其特征在于，所述栅绝缘层形成在有机半导体层上；所述栅电极覆盖所述栅绝缘层的顶部表面；所述源电极及漏电极形成在所述有机半导体层上，隔着所述栅绝缘层彼此相对，并分别紧靠所述栅绝缘层的侧壁；所述侧壁与紧靠其的所述源电极或漏电极底部表面之间的夹角不大于90度；其中，所述栅绝缘层材料为光敏材料。

专利地区：北京