有机场效应晶体管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：有机场效应晶体管结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种具有顶栅结构或底栅结构的有机场效应晶体管结构及其制备方法。该晶体管结构包括绝缘衬底、有源层、栅介质、源漏电极和栅电极。源、漏电极嵌入在栅介质层或者绝缘层中，其上表面与栅介质层或绝缘层上表面齐平。源、漏电极位于有源层的下方，与有源层形成底接触式结构。本发明通过使用嵌入式的源、漏电极结构，使得源、漏电极和有源层之间的有效接触面积大幅度提高，从而提高载流子的注入。同时本发明提供了该晶体管结构的制备方法。沟槽的刻蚀和源漏电极的制备共用一层光刻胶图形，有效降低了工艺复杂度和难度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110050075.7

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;刘明

主权项：一种具有顶栅结构的有机场效应晶体管结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；嵌于该绝缘衬底且与该绝缘衬底上表面齐平的源电极及漏电极；形成于该绝缘衬底上的有源层；形成于该有源层上的栅介质层；以及形成于该栅介质上的栅电极。

专利地区：北京