一种有机场效应晶体管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种有机场效应晶体管结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管结构及其制备方法。该晶体管结构包括绝缘衬底、有源层、栅介质、源漏电极和栅电极。所述的晶体管结构为底栅顶接触式结构，该晶体管的源漏电极为顶接触式电极，通过水溶性的光刻胶来对其进行图形化。本发明所提出的有机场效应晶体管结构能够直接形成图形化的顶接触式源漏电极，有利于提高载流子注入。同时本发明提供了该晶体管结构的制备方法，避免了常用的光刻胶对有机半导体的损伤，有利于提高有机场效应晶体管的性能，可以用来制备出高分辨率，大规模的有机电路。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110050093.5

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;刘明

主权项：一种有机场效应晶体管结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；位于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该栅电极和该绝缘衬底的栅介质层；位于该栅介质层之上的有源层；以及位于该有源层之上的保护层、源电极和漏电极；其中，所述保护层、源电极和漏电极处于同一平面，源电极和漏电极与有源层接触，形成顶接触式结构；栅电极与有源层形成底栅结构。

专利地区：北京