一种制作声表面波气体传感器双层敏感膜的方法专利登记公告
专利名称：一种制作声表面波气体传感器双层敏感膜的方法
摘要：本发明公开了一种制作声表面波气体传感器双层敏感膜的方法，该方法首先通过电子束蒸发制作三氧化钨WO3敏感膜，然后在乙醇溶液中均匀分散二氧化锡SnO2粉末形成SnO2溶液，再通过滴涂法将该SnO2溶液滴涂在制作的WO3敏感膜上，形成WO3/SnO2双层敏感膜。本发明将分散好的SnO2溶液滴涂在WO3薄膜上，形成的WO3/SnO2双层敏感膜，该WO3/SnO2双层敏感膜与纯的SnO2或者WO3传感器相比，选择性、灵敏度和检测质量均有一定的提高。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110050213.1
专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
专利发明（设计）人：李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青;叶甜春;霍宗亮;张满红
主权项：一种制作声表面波气体传感器双层敏感膜的方法，其特征在于，该方法首先通过电子束蒸发制作三氧化钨WO3敏感膜，然后在乙醇溶液中均匀分散二氧化锡SnO2粉末形成SnO2溶液，再通过滴涂法将该SnO2溶液滴涂在制作的WO3敏感膜上，形成WO3/SnO2双层敏感膜。
专利地区：北京
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