浅沟槽隔离的制造方法专利登记公告

专利名称：浅沟槽隔离的制造方法

摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上顺次形成有垫氧化硅层、硅层和氮化硅层；依次刻蚀所述垫氧化硅层、硅层、氮化硅层和部分硅衬底，以形成沟槽；进行硅的氧化工艺，以在所述沟槽内形成第一二氧化硅层；在所述第一二氧化硅层和氮化硅层上形成第二二氧化硅层；通过化学机械研磨工艺去除所述氮化硅层上的第二二氧化硅层；依次去除所述氮化硅层和硅层，形成浅沟槽隔离。通过本发明提供的浅沟槽隔离的制造方法，避免了断层缺陷的产生，提高了半导体器件的电学稳定性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110051917.0

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：王新鹏

主权项：一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上顺次形成有垫氧化硅层、硅层和氮化硅层；依次刻蚀所述垫氧化硅层、硅层、氮化硅层和部分硅衬底，以形成沟槽；进行硅的氧化工艺，以在所述沟槽内形成第一二氧化硅层；在所述第一二氧化硅层和氮化硅层上形成第二二氧化硅层；通过化学机械研磨工艺去除所述氮化硅层上的第二二氧化硅层；依次去除所述氮化硅层和硅层，形成浅沟槽隔离。

专利地区：上海