SOI晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：SOI晶体管及其制造方法

摘要：本发明提供一种SOI晶体管及其制造方法，所述方法包括：提供SOI基板，所述SOI基板包括氧化层以及覆盖所述氧化层的顶层硅；在顶层硅上形成虚拟栅极，并在虚拟栅极两侧形成第一侧墙；在第一侧墙两侧的顶层硅上形成第一硅层；在第一侧墙两侧形成第二侧墙，并以第二侧墙为掩膜，进行重掺杂离子注入工艺，形成源漏区；去除第二侧墙；以第一侧墙为掩膜，进行轻掺杂离子注入工艺，形成源漏扩展区；在源漏区和源漏扩展区表面形成金属硅化物，并在金属硅化物上形成层间介质层；去除虚拟栅极形成开口，并在开口内形成栅极结构。通过本发明提供的SOI

专利类型：发明专利

专利号：CN201110051900.5

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：刘金华

主权项：一种SOI晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供SOI基板，所述SOI基板包括氧化层以及覆盖所述氧化层的顶层硅；在所述顶层硅上形成虚拟栅极，并在所述虚拟栅极两侧形成第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的顶层硅上形成第一硅层；在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙，并以所述第二侧墙为掩膜，进行重掺杂离子注入工艺，以形成源漏区；去除所述第二侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，进行轻掺杂离子注入工艺，以形成源漏扩展区；在所述源漏区和源漏扩展区表面形成金属硅化物，并在所述金属硅化物上形成层间介质层；去除所述虚拟栅极形成开口，并在所述开

专利地区：上海