互连结构的制作方法专利登记公告

专利名称：互连结构的制作方法

摘要：本发明涉及一种互连结构的制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次沉积形成阻挡层、低介电常数的介质层以及硬掩膜层，所述介质层中分布有致孔剂；刻蚀形成至少一通槽；对所述衬底进行第一次紫外线辐射；沉积扩散阻挡层并沉积导电材料；进行化学机械研磨，直至去除所述硬掩膜层；对所述衬底进行第二次紫外线辐射。本发明所述互连结构的制作方法，在形成通槽后对所述衬底进行第一次紫外线辐射，去除所述第二通槽下方介质层中的致孔剂，包括介质层中其余致孔剂，以在后续沉积导电材料及进行化学机械研磨过程中分担机械压力，从而提高所述

专利类型：发明专利

专利号：CN201110051918.5

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：鲍宇

主权项：一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次沉积形成阻挡层、低介电常数的介质层以及硬掩膜层，所述介质层中分布有致孔剂；刻蚀形成至少一通槽，所述通槽包括第一通槽和第二通槽，所述第一通槽贯穿所述阻挡层和部分介质层，所述第二通槽贯穿部分介质层和硬掩膜层，所述第二通槽的截面宽度大于第一通槽的截面宽度；对所述衬底进行第一次紫外线辐射，以去除所述第二通槽下方的介质层中的致孔剂；沉积扩散阻挡层于所述通槽内表面及所述硬掩膜层表面，并沉积导电材料填充所述通槽中；进行化学机械研磨，直至去除所

专利地区：上海