TFT-LCD阵列基板制造方法及其阵列基板和相关器件专利登记公告

专利名称：TFT-LCD阵列基板制造方法及其阵列基板和相关器件

摘要：本发明涉及液晶显示器技术领域，提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法及其阵列基板和相关器件。本发明的方案中，采用底部钻刻工艺产生的底部凹陷，直接在钝化层上沉积透明导电层即得到像素电极图案。本发明的底部钻刻工艺，由于利用了底部凹陷现象，只需在对钝化层进行刻蚀时适当延长刻蚀时间即可实现，其操作简便，工艺条件无苛刻要求，相对于现有的三次掩膜技术，由于省略了离地剥离及在高温光刻胶上沉积ITO等的工艺处理，大大缩短了工艺时间，节约了成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110249252.4

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：王本莲;张智钦;白峰

主权项：一种TFT?LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S1，形成栅电极层图案；S2，形成有源层图案及源漏极层图案；S3，形成钝化层图案，将像素电极区域的钝化层去除，采用底部钻刻工艺在保留的钝化层的边缘产生底部凹陷；进行透明导电层的沉积形成像素电极图案。

专利地区：北京