一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备专利登记公告

专利名称：一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备

摘要：本发明实施例提供一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够改善TFT的充电特性，提高TFT载流子迁移率，且实现简便、成本较低。方法包括：在基板上形成栅绝缘层；在第一CVD腔体内，对所述栅绝缘层通H2进行表面处理，之后，在所述栅绝缘层上沉积第一a-Si有源层；在内部充有高压N2和H2的第二CVD腔体内，对所述第一a-Si有源层进行退火处理；退火处理之后，在所述第一CVD腔体内，在所述第一a-Si有源层上分别沉积第二a-Si有源层和第三a-Si有源层，在所述第三a-Si

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066710.0

专利申请（专利权）人：北京京东方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：张金中

主权项：一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅绝缘层；在第一化学气象淀积腔体内，对所述栅绝缘层通H2进行表面处理，之后，在所述栅绝缘层上沉积第一非晶硅有源层；在内部充有高压N2和H2的第二化学气象淀积腔体内，对所述第一非晶硅有源层进行退火处理；退火处理之后，在所述第一化学气象淀积腔体内，在所述第一非晶硅有源层上分别沉积第二非晶硅有源层和第三非晶硅有源层，在所述第三非晶硅有源层上沉积P掺杂n+非晶硅层。

专利地区：北京