阵列基板的制造方法专利登记公告

专利名称：阵列基板的制造方法

摘要：本发明公开了一种阵列基板的制造方法，涉及液晶显示技术领域，解决了现有技术中制造阵列基板的5掩膜技术仍然成本较高的问题。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法中，由于使用了灰阶掩膜版，使得图案化像素电极和源/漏电极时，仅需要使用一个掩膜版，另外，图案化有源层、栅极绝缘层及栅电极时也仅使用了一个掩膜版，并在同一个刻蚀步骤中形成了有源层、栅极绝缘层及栅电极，使得整个阵列基板的制造过程中，仅使用了两个掩膜版，相比于现有的5掩膜技术进一步降低了阵列基板的制造成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110301474.6

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：刘圣烈;宋泳锡;崔承镇

主权项：一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤一、在衬底上形成氧化铟锡薄膜及源/漏金属层；步骤二、使用灰阶掩膜版在完成所述步骤一的所述衬底上形成图案化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包括具有第一厚度的完全保留区及具有第二厚度的部分保留区，所述第一厚度大于所述第二厚度；步骤三、对完成所述步骤二的所述衬底进行刻蚀，以形成对应于所述完全保留区形状的源/漏电极，以及形成对应于所述部分保留区形状的像素电极；步骤四、在形成有所述源/漏电极及所述像素电极的所述衬底上形成半导体层、绝缘层及栅极金属层；步骤五、使用常规掩膜

专利地区：北京