电迁移测试结构专利登记公告

专利名称：电迁移测试结构

摘要：一种电迁移测试结构，包括第一导线段、第二导线段和第三导线段，还包括第一虚设导线段，所述第一虚设导线段与所述第三导线段连接，所述第一导线段介于所述第一虚设导线段与所述第二导线段之间，在所述电迁移测试结构工作时，所述第一虚设导线段有电流通过。与现有技术在第三导线段两端部设置预留段相比，本发明第三导线段至少一端部设置虚设导线段，所述虚设导线段在电迁移测试结构工作时有电流通过，从而减小电迁移现象引起的空洞或凸起物的聚集，从而大大提高了电迁移测试结构的使用寿命，并提高电迁移测试结构的可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110051941.4

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：甘正浩

主权项：一种电迁移测试结构，包括第一导线段、第二导线段和第三导线段，所述第一导线段通过垂直设置的第一通孔插塞与所述第三导线段连接，所述第二导线段通过垂直设置的第二通孔插塞与所述第三导线段连接，其特征在于，还包括第一虚设导线段，所述第一虚设导线段与所述第三导线段连接，所述第一导线段介于所述第一虚设导线段与所述第二导线段之间，在所述电迁移测试结构工作时，所述第一虚设导线段有电流通过。

专利地区：上海