半导体芯片及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体芯片及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体芯片及其制造方法，该半导体芯片包括：衬底，具有前表面和与前表面相对的后表面；导电柱体部，从前表面到后表面穿过衬底；空腔，通过去除导电柱体部的端部周围的部分后表面形成，使得导电柱体部的端部从空腔突出；第一绝缘层，形成在空腔中，使得导电柱体部的端部的一部分暴露；以及后电极，电连接至导电柱体部的暴露端部。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142303.8

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：孙皓荣;吴卓根

主权项：一种半导体芯片，包括：衬底，具有前表面和与所述前表面相对的后表面；导电柱体部，从所述前表面到所述后表面穿过所述衬底；空腔，通过去除所述导电柱体部的端部周围的部分所述后表面形成，使得所述导电柱体部的所述端部从所述空腔突出；第一绝缘层，形成在所述空腔中，使得所述导电柱体部的所述端部的一部分暴露；以及后电极，电连接至所述导电柱体部的暴露端部。

专利地区：韩国