栅极结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：栅极结构及其制造方法

摘要：本申请公开了一种栅极结构及其制造方法，该栅极结构包括栅极叠层，形成在半导体衬底上，从下至上包括界面氧化物层、高K电介质层和金属栅电极；第一电介质层，位于栅极叠层的侧壁上并作为第一侧墙；以及牺牲金属层，位于第一电介质层的侧壁上并作为第二侧墙。该栅极结构中的牺牲金属层在退火步骤中减小了界面氧化物层的厚度，从而可以应用于小尺寸的半导体器件，其中栅电介质层具有低的EOT值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110052271.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：钟汇才;骆志炯;梁擎擎

主权项：一种栅极结构，包括栅极叠层，形成在半导体衬底上，从下至上包括界面氧化物层、高K电介质层和金属栅电极；第一电介质层，位于栅极叠层的侧壁上并作为第一侧墙；以及牺牲金属层，位于第一电介质层的侧壁上并作为第二侧墙。

专利地区：北京