具有过压保护的半导体器件及基于该器件的双向极性器件专利登记公告

专利名称：具有过压保护的半导体器件及基于该器件的双向极性器件

摘要：本发明涉及半导体器件，特别是一种具有过压保护的半导体器件及基于该器件的双向极性器件。本发明是通过以下技术方案得以实现的：具有过压保护的半导体器件，它包括：衬底、第一区域、第二区域；每个第一区域的上部至少设有一个第二区域;衬底在相邻第一区域之间形成第一开口区域；每个第一开口区域处都设有一个连接衬底及相邻第一区域的呈第二导电类型的第三区域；衬底的下部设有呈第二导电类型的第四区域；第三区域上方设有第一绝缘层，且所述第一绝缘层沿相应第三区域的两侧延伸并覆盖部分第一区域；第二区域与第一区域都连接有第一金属接触;第四

专利类型：发明专利

专利号：CN201210116554.9

专利申请（专利权）人：谢可勋;浙江美晶科技有限公司

专利发明（设计）人：谢可勋;西里奥 艾 珀里亚科夫

主权项：一种具有过压保护的半导体器件，其特征在于，它包括：呈第一导电类型的衬底（10），设于所述衬底（10）上部的至少两个呈第二导电类型的第一区域（11）,设于所述第一区域（11）上部的呈第一导电类型的第二区域（13）；每个第一区域（11）的上部至少设有一个第二区域（13）;所述衬底（10）在相邻第一区域（11）之间形成第一开口区域（12）；每个第一开口区域（12）处都设有一个连接所述衬底（10）及相邻第一区域（11）的呈第二导电类型的第三区域（14）；所述衬底（10）的下部设有呈第二导电类型的第四区域（15）；

专利地区：浙江