一种半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种半导体结构及其制造方法

摘要：一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。相应地，本发明还提供一种半导体结构。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构

专利类型：发明专利

专利号：CN201110053301.7

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：尹海洲;蒋葳;骆志炯;朱慧珑

主权项：一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上形成有源区，在所述有源区上顺序形成栅极堆叠、以所述栅极堆叠为掩膜形成源/漏延伸区、环绕所述栅极堆叠的第一侧墙、以及以所述栅极堆叠和所述第一侧墙为掩膜形成源/漏区之后，暴露部分所述有源区；在暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙后，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所

专利地区：北京