厚绝缘膜的工艺实现方法专利登记公告

专利名称：厚绝缘膜的工艺实现方法

摘要：本发明公开了一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平；(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉，只留下厚的场氧绝缘膜。本发明通过改变刻蚀槽的形貌后，元包之间的二氧化硅绝缘膜在炉管里成长后，改变了应力的方向，测量后曲率半径和进炉管长膜前的曲率半径基本一致，解决了元包之间厚度大于2微米绝缘层的可行办法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110049404.6

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：王海军;孙勤

主权项：一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平；(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉，只留下厚的场氧绝缘膜。

专利地区：上海