晶体管的制备方法专利登记公告

专利名称：晶体管的制备方法

摘要：一种半导体制造领域的晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，且在所述半导体衬底上形成伪栅结构；选择性刻蚀所述半导体衬底的上表面，且使所述半导体衬底的上表面被去除的厚度为第一厚度；采用选择性外延生长方法在所述半导体衬底的上表面形成厚度为第一厚度的轻掺杂源/漏区。本发明通过先刻蚀再外延生长的方法形成轻掺杂源/漏区，从而既可以使得晶体管的结深很浅，又可以提高轻掺杂源/漏区掺杂离子的激活率，最终提高了晶体管的性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110048839.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：三重野文健

主权项：一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，且在所述半导体衬底上形成伪栅结构；选择性刻蚀所述半导体衬底的上表面，且使所述半导体衬底的上表面被去除的厚度为第一厚度；采用外延生长方法在所述半导体衬底的上表面形成厚度为第一厚度的轻掺杂源/漏区；在所述伪栅结构的相对两侧形成隔离侧墙；以所述隔离侧墙和所述伪栅结构为掩模，在所述半导体衬底内进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源/漏区；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅结构的上表面位于同一水平面；刻蚀去除所述伪栅结构至露出所述半导

专利地区：上海