肖特基二极管的制备方法专利登记公告

专利名称：肖特基二极管的制备方法

摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，涉及电子元器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：S1：在硅衬底上表面沉积多晶硅层；S2：进行预设时间的高温处理和退火处理，以实现在所述硅衬底和多晶硅层之间形成类外延层；S3：去除表面的多晶硅层。本发明的制备方法替代了传统的高成本的外延工艺，大大降低了制作肖特基二极管的成本，并简化了制备步骤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210141590.0

专利申请（专利权）人：广州晟和微电子有限公司

专利发明（设计）人：冯永浩

主权项：一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1：在硅衬底上表面沉积多晶硅层；S2：进行预设时间的高温处理和退火处理，以实现在所述硅衬底和多晶硅层之间形成类外延层；S3：去除表面的多晶硅层。

专利地区：广东