存储装置、其制造方法与操作方法专利登记公告

专利名称：存储装置、其制造方法与操作方法

摘要：本发明公开一种存储装置、其制造方法与操作方法。存储装置包括基底、堆叠结构、沟道元件、介电元件、源极元件与位线。堆叠结构配置于基底上。堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线。串列选择线、字线与接地选择线通过绝缘线互相分开。沟道元件配置于堆叠结构之间。介电元件配置于沟道元件与堆叠结构之间。源极元件配置于基底的上表面与沟道元件的下表面之间。位线配置于沟道元件的上表面上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110053420.2

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：吕函庭;陈士弘

主权项：一种存储装置，包括：基底；多个堆叠结构，配置于该基底上，其中该多个堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线，该串列选择线、该字线与该接地选择线通过该绝缘线互相分开；沟道元件，配置于该多个堆叠结构之间；介电元件，配置于该沟道元件与该堆叠结构之间；源极元件，配置于该基底的上表面与该沟道元件的下表面之间；以及位线，配置于该沟道元件的上表面上。

专利地区：台湾