非易失性存储器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：非易失性存储器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成沟道连接层和包围沟道连接层的隔离层；在沟道连接层和隔离层之上形成具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层的层叠结构；以及形成贯穿层叠结构与沟道连接层连接的一对沟道以及插入在沟道与层叠结构之间的存储层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110325261.7

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：周瀚洙;李东基;吴尚炫

主权项：一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成沟道连接层和包围所述沟道连接层的隔离层；在所述沟道连接层和所述隔离层之上形成具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层的层叠结构；以及形成贯穿所述层叠结构与所述沟道连接层连接的一对沟道，以及插入在所述沟道与所述层叠结构之间的存储层。

专利地区：韩国