芯片和芯片的分离方法专利登记公告

专利名称：芯片和芯片的分离方法

摘要：本发明公开了一种芯片和芯片的分离方法，包括步骤：对多个测试和监控图形结构形成于晶片上的位置进行设置，使各芯片间的分离槽的宽度至少在一个方向上小于20微米；形成一张分离槽刻蚀掩膜版并利用该分离槽刻蚀掩膜版对分离槽的介质膜、或者介质膜和金属膜进行刻蚀以及分离槽下方的衬底进行刻蚀；进行背面减薄和通过施加压力使芯片和芯片分离。本发明能减少各芯片间的分离槽的宽度、能提高分割的稳定性和芯片的可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110054343.2

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：梅绍宁;肖胜安;王雷

主权项：一种芯片和芯片的分离方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片上形成多个芯片、以及多个测试和监控图形结构，各所述芯片间形成有分离槽，各所述芯片通过分离槽互相隔离，各所述芯片和相邻芯片间的分离槽的宽度至少在一个方向上小于20微米；步骤二、形成一张在各所述芯片间的分离槽中形成沟槽图形的分离槽刻蚀掩膜版，所述分离槽刻蚀掩膜版的图形结构满足形成的所述沟槽图形和各所述芯片间的分离槽的图形结构相同、且各所述沟槽图形的宽度小于对应的所述分离槽的宽度；步骤三、利用所述分离槽刻蚀掩膜版在所述晶片上形成光刻图形，所述光刻

专利地区：上海