一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，在基板上沉积第一金属层，并利用第一光罩对第一金属层进行图案化形成栅极；在基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层，利用第二光罩对半导体层进行图案化，保留位于栅极上方的半导体层；在基板上依次沉积透明导电层和第二金属层，利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层，在半导体层上形成包括透明导电层和第二金属层的源极及漏极，在栅绝缘层上由透明导电层形成共通电极，在共通电极上由第二金属层形成反射层。本发明简化了工艺制程，降低了薄膜晶体管阵列基板的制作难度以及成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210140146.7

专利申请（专利权）人：深圳市华星光电技术有限公司

专利发明（设计）人：黄华;贾沛

主权项：一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供基板；在所述基板上沉积第一金属层，并利用第一光罩对所述第一金属层进行图案化，形成栅极；在所述基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层，利用第二光罩对所述半导体层进行图案化，保留位于所述栅极上方的半导体层；在所述基板上依次沉积透明导电层和第二金属层，利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层，在半导体层上形成包括所述透明导电层和第二金属层的源极及漏极，在栅绝缘层上由所述透明导电层形成共通电极，在所述共通电极上由所述第二金属层形成反射层

专利地区：广东