一种MOS管的制作方法及MOS管器件专利登记公告

专利名称：一种MOS管的制作方法及MOS管器件

摘要：本发明的实施例提供了一种MOS管的制作方法及MOS管器件，涉及半导体技术领域，为有效减小MOS管在关断状态下的漏电流而发明。所述MOS管的制作方法，包括：形成栅极氧化层，所述栅极氧化层的厚度为85至105埃；通过离子注入形成轻掺杂漏极注LDD区，所述离子注入的方向向下与竖直方向的角度为0至10度，所述离子注入的能量为28至32千电子伏特。本发明可用于半导体器件以及集成电路的制作中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110054503.3

专利申请（专利权）人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

专利发明（设计）人：叶文正;王华

主权项：一种MOS管的制作方法，其特征在于，包括：形成所述MOS管的栅极氧化层，所述栅极氧化层的厚度为85至105埃；形成所述MOS管的栅极；通过离子注入形成所述MOS管的轻掺杂漏极注入LDD区，所述离子注入的方向向下与竖直方向的角度为0至10度，所述离子注入的能量为28至32千电子伏特；形成所述MOS管的源极和漏极。

专利地区：北京