一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法

摘要：本发明公开了一种YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，以金属钇靶(Y)和铝靶(Al)为源材料，采用磁控溅射和快速退火技术来制备YAlO3复合氧化物高K介质作为薄膜晶体管的栅介质层材料，并且以ITO玻璃作为衬底，源、漏电极为Ti/Au双层金属膜电极，制得的薄膜晶体管可采用顶栅结构或者底栅结构；本发明的制备方法简单可控，可实现低温制备，制造成本较低；制得的薄膜晶体管性能优良，具有较小的漏电流和较大的电容，可发展成全透明薄膜晶体管，在显示器件技术领域应用前景十分广阔。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110056308.4

专利申请（专利权）人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

专利发明（设计）人：俞峥;曹鸿涛;梁凌燕;许望颖;方燕群;叶小娟

主权项：一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)选择ITO玻璃作为衬底，并对衬底进行超声清洗，预留边缘一部分作为栅电极；2)采用磁控溅射镀膜设备及金属钇靶和铝靶，在衬底温度条件下在衬底上用反应溅射沉积钇铝氧YAlO3复合氧化物薄膜，然后进行退火处理，完成栅介质层的制备；3)在栅介质层上制备沟道层；4)在沟道层上制备源电极和漏电极，制得底栅结构的YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管。

专利地区：浙江