一种半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种半导体器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述帽层位于所述栅堆叠上，所述侧墙环绕所述栅堆叠和所述帽层；在暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上外延生长半导体层；在所述半导体层上形成金属接触层。通过在石墨烯层或碳纳米管层上形成半导体层，继而在所述半导体层上形成金属接触层，以替代直接利用石墨烯层或碳纳米管层材料形成金属接触层，利于形成自对准的源

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066371.6

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑

主权项：一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述帽层位于所述栅堆叠上，所述侧墙环绕所述栅堆叠和所述帽层；在暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上外延生长半导体层；在所述半导体层上形成金属接触层。

专利地区：北京