一种半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种半导体结构及其制造方法

摘要：一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，并在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区和漏极延伸区，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，并在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极和漏极；去除源极侧侧墙的至少一部分，使所述源极侧侧墙的厚度小于漏极侧侧墙的厚度；在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成接触层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。利于降低源极延伸区的接触电阻，同时还可以降低栅极和漏极延伸区之间的寄生电容。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066929.0

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑

主权项：一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)?提供衬底(100)，在所述衬底(100)上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，并在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区(110a)和漏极延伸区(110b)，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，并在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极(111a)和漏极(111b)；b)?去除源极侧侧墙(240a)的至少一部分，使所述源极侧侧墙(240a)的厚度小于漏极侧侧墙(240b)的厚度；c)?在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有

专利地区：北京