双面晶体管动态随机存取存储器的方法与双面晶体管结构专利登记公告

专利名称：双面晶体管动态随机存取存储器的方法与双面晶体管结构

摘要：本发明公开了一种形成具有一双面晶体管的一动态随机存取存储器的方法和一种场效晶体管结构，包含有：提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极；在每一对高电阻门极之间形成一孔洞以使所述高电阻门极对相互连接；在所述沟槽的一侧和所述高电阻门极对之中一高电阻门极的下方形成一门极；形成一氧化层以覆盖所述门极；和沉积一厚金属层于所述沟槽中以形成一字线，本发明可避免非常强的字线一字线耦合效应。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110425198.4

专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司

专利发明（设计）人：沃纳·郑林

主权项：一种双面晶体管动态随机存取存储器的方法，包含有：提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少有两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极；在每一对高电阻门极之间形成一孔洞，使所述每对高电阻门极互相连接；在所述沟槽的一侧和所述每对高电阻门极中的一个高电阻门极的下方形成一门极；形成一氧化层覆盖所述门极；和沉积一厚金属层在所述沟槽中形成一字线。

专利地区：台湾