晶片封装体及其形成方法专利登记公告

专利名称：晶片封装体及其形成方法

摘要：一种晶片封装体及其形成方法，包括：基底；信号导电垫，设置于基底之上；接地导电垫，设置于基底之上；第一导电层，设置于基底之上，且电性连接信号导电垫，其中第一导电层自基底的上表面沿着基底的第一侧面朝基底的下表面延伸，且第一导电层突出于下表面；第二导电层，设置于基底之上，且电性连接接地导电垫，其中第二导电层自基底的上表面沿着基底的第二侧面朝基底的下表面延伸，且第二导电层突出于下表面；以及保护层，设置于基底之上，其中保护层完全覆盖第一导电层的位于基底的第一侧面上的全部部分，且第二导电层的位于基底的第二侧面上的全部

专利类型：发明专利

专利号：CN201110057693.4

专利申请（专利权）人：精材科技股份有限公司

专利发明（设计）人：黄郁庭

主权项：一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底；一信号导电垫，设置于该基底之上；一接地导电垫，设置于该基底之上；一第一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该信号导电垫，其中该第一导电层自该基底的一上表面沿着该基底的一第一侧面朝该基底的一下表面延伸，且该第一导电层突出于该下表面；一第二导电层，设置于该基底之上，且电性连接该接地导电垫，其中该第二导电层自该基底的该上表面沿着该基底的一第二侧面朝该基底的该下表面延伸，且该第二导电层突出于该下表面；以及一保护层，设置于该基底之上，其中该保护层完全覆盖该第一导电层的位于该

专利地区：台湾